晶振圈专业名词解释，你都知道吗（上）

　　作为晶振行业的“圈内人”或刚刚进入晶振行业的小白同学来说，了解晶振的专业术语就显得尤为必要了，今天小扬给大家整理一些基本的晶振专业名词解释：

　　1 、 标称频率

　　标称频率指的是在正常匹配的振荡电路下，晶振中的石英晶片振动的频次，表示为MHz或KHz。

　　例如：石英晶片在1秒内振动了一百万次，那么该频率为1MHz。

　　2 、 调整频差

　　指晶振在常温(25℃)下，实际输出频率与标称频率之间允许的最大偏差。晶振在标准温度下的频率误差范围。这个误差通常用ppm(百万分之一)来表示。

　　例如：标称频率为10MHz的晶振，如果调整频差为±10ppm，实际频率可能在9.9999MHz到10.0001MHz之间波动。调整频差越小，晶振的频率精度越高。

　　3 、 温度频差

　　指晶振在工作温度范围内，实际输出频率与标称频率之间允许的最大偏差。

　　晶振在不同温度下工作时，频率可能会因为温度变化而产生一定的波动。这个偏差通常也用ppm(百万分之一)来表示。

　　例如：晶振的温度频差为±20ppm，规定的温度范围内，实际频率可能会比标称频率高或低最多20ppm。温度频差越小，晶振的频率稳定性越好，受温度变化的影响越小。

　　4 、 工作温度范围

　　工作温度范围是晶振能正常工作的温度区间，在这个范围内晶振的频率偏差和其它性能都能保持正常。

　　比如，晶振的工作温度范围是-40℃到85℃，在这个区间内就能稳定运行。超出这个范围，性能可能就不行了。工作温度范围越宽，晶振就越能适应不同的环境。

　　5 、 储存温度范围

　　指晶振在不工作(没通电)时，能安全存放的温度范围，一个晶振的储存温度范围是-55℃到125℃，只要在这个区间里放着，它的性能就不会坏。但如果超出这个范围，可能会少用几年或者性能变差。储存温度范围一般比工作温度范围更宽，是为了让晶振在运输或存放时更安全。

　　6 、 负载电容 （ 负载电容是由外部电容和电路中的杂散电容共同决定的）

　　① 负载电容是指与晶振串联的外部电容，它会直接影响晶振的谐振频率。负载电容就像是晶振的“调频器”——当负载电容发生变化时，晶振的输出频率也会随之改变。

　　② 常见的负载电容值有：8pF、9pF、10pF、12pF、12.5pF、15pF、18pF、20pF等。不同的负载电容值适用于不同的电路设计需求。

　　③ 负载电容的计算公式为：CL = (Cg × Cd) / (Cg + Cd) + Cs 。

　　· Cg  和 Cd  是晶振两个引脚上连接的外部电容值。

　　· Cs  是电路中的杂散电容，通常为3pF～5pF。

　　7 、 静态电容

　　指晶振内部石英芯片与两个电极之间形成的电容，还有一小部分电容来自石英芯片与连接线之间的导电材料，以及晶振封装外壳的电容。

　　8、切割方式

　　不同应用场景和工作温度的需求，石英晶体会按照特定的角度进行切割，形成不同的切割方式。切割类型包括：AT切、BT切、CT切、SC切、DT切、NT切、GT切等。每种切割方式的角度不同，会影响晶体的弹性常数、压电常数和介电常数，进而影响其频率特性和温度稳定性。

　　切割角度决定了晶振的振动模式和温频特性。石英晶体有结晶轴，切割时沿垂直于结晶轴的特定角度进行。

　　9 、 振动模式

　　不同的石英切割角度及不同电极形状的电场效应，石英芯片展现了各种不同的振动模式，以经常产生的振动模式可以分为弯曲模式，伸缩模式，面切变模式和厚度切变振动模式。